题目：Ge基栅极工程、结工程以及沟道应变工程

报告人：张睿 博士

时间：2020年1月3日上午10:00

地点：武汉大学湖滨会议室

欢迎各位师生踊跃参加！

摘要：

由于Ge具有比Si高得多的空穴和电子迁移率，因此Ge MOSFET器件被认为是未来高性能场效应晶体管器件最有希望的技术方案之一。在Si平台上实现高迁移率Ge沟道的集成，是推进基于Ge材料的新型半导体器件进入实用化的关键。本报告将从Ge基栅极工程、结工程以及沟道应变工程等几方面，对Ge器件的应用前景、以及新材料半导体器件的应用场景拓展进行探讨。

主讲人简介：

张睿，2012年博士毕业于日本东京大学电子工程系，现为浙江大学副教授。主要新型半导体器件工艺及载流子输运机理方面的研究，包括超薄栅极堆垛、迁移率提升技术以及Si基异质半导体材料集成等。近年来在IEDM、VLSI Symposia、IEEE TED和IEEE EDL等主流学术期刊和学术会议上发表研究论文100余篇，SCI引用2000余次。研究成果被IEDM评为“世界上运算速度最快的锗器件” ，作为IEDM、VLSI Symposia等会议的亮点论文进行展示，并被《日本产业经济》、《Semiconductor Today》等多家行业媒体专题报导。张睿博士曾获得VLSI Symposia最佳论文奖、IEEE Paul Rappaport奖等奖项十余项，并获得浙江省杰出青年基金资助。