徐红星团队在轻掺杂硅纳米材料中首次观察到了受限载流子-声子散射导致的光热电效应。该工作以“Giant Photothermoelectric Effect in Silicon Nanoribbon Photodetectors”（《 硅纳米带光电探测器中的巨大光热电效应》）为题发表在Light: Science & Applications（《光：科学与应用》）上。武汉大学为第一署名单位，博士生代伟、博士毕业生刘维康为共同第一作者，徐红星教授与管志强副教授为通讯作者。论文作者还包括武汉大学的刘昌教授和博士生徐超。

光热电效应（Photothermoelectric effect）是利用光激发纳米材料中产生的热载流子的浓度和温度梯度来驱动载流子定向运动来产生开路电压/短路电流光电响应的一种新型光电转换机制。由于可以利用光生载流子弛豫过程中损失的热能，提高光电探测器的光响应度和太阳能电池的能量转化效率，光热电效应近年来得到广泛关注。已报道的光热电效应研究集中在低维材料，如碳纳米管、石墨烯、黑磷、III–V族半导体纳米线等。但这些材料较低的光吸收和难以大面积可控的制备，限制了光热电效应这一新型光电转换机制在太阳能电池和光电探测器方面的实际应用。

徐红星课题组通过结合来源丰富、与CMOS工艺兼容的硅材料与先进的微纳加工技术，首次在硅纳米材料中实现了不同于晶格温度的热载流子温度场稳态分布，结合包含载流子-晶格双温度模型的光-热-电多物理场模型对硅光热电效应光电响应进行了模拟和优化设计，通过欧姆型电极接触和利用轻掺杂硅纳米材料成功实现了基于光热电效应的高达10⁵ V W^-1 @633 nm的开路光电压响应，比先前文献报道光热电效应光电响应高3-4个数量级，为利用光热电效应和热载流子能量提高光电转换效率的实际应用提供了重要思路。

图1：硅纳米带光电探测器的结构示意图及光热电效应机制和载流子温度场分布

图2：载流子-晶格相互作用时间以及掺杂浓度对光热电效应的影响、器件优化后测得的光电响应

此外，徐红星课题组通过结合硅带状纳米材料与金纳米光栅结构，首次实现了具有偏振、波长分辨的等离激元增强光热电型硅基光电探测器。通过金纳米光栅等离激元结构引起硅材料中的共振光吸收进一步提高了器件的光电响应，并且具有波长、偏振等响应敏感性。这一成果早前发表在国际著名刊物Nanoscale上。

以上研究得到了国家重点研发项目、国家自然科学基金等基金资助。

论文链接：

https://www.nature.com/articles/s41377-020-00364-x

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/nr/c8nr10222h